Caractérisation par spectrométrie de masse des ions secondaires des zones actives du CMOS ultime

Conclusion générale CONCLUSION GÉNÉRALE e travail présenté dans ce mémoire porte sur l’étude et la caractérisation de la rugosité L à haute et basse énergie pour des profils d’impuretés dans le silicium monocristallin. L’analyse topographique de la surface et la caractérisation de l’état d’oxydation de facettes SIMS sont étudiées à l’aide de la microscopie à force atomique. Nous avons débuté ce travail par des généralités concernant l’origine du phénomène de rugosité qui peut être induite par le faisceau primaire sur une surface lisse, ou qui se développe à partir d’un relief initial. La morphologie de la rugosité évolue en fonction de la profondeur d’érosion, de l’énergie d’impact et de l’angle d’incidence et les ondulations changent de forme : presque sinusoïdale aux alentours de la profondeur critique d’apparition de la rugosité et triangulaire pour des grandes profondeurs d’érosion. Une étude de la + + +littérature montre que la rugosité varie selon les ions primaires utilisés (O , Cs , Ar ). Elle est 2+ +moins prononcée dans le cas de Cs et encore moins dans le cas d’Ar , comparativement à +O . D’autres travaux ont montré qu’on réduisant l’angle d’incidence, aucun symptôme de 2rugosités n’était observé. Certains indiquent que la rotation de l’échantillon pendant l’analyse permet d’inhiber le développement de la rugosité. L’évolution énergétique et angulaire se complique grandement lorsque l’énergie d’impact baisse. Nous avons ensuite étudié la ...