Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les

Conclusion Générale Conclusion Générale 167Conclusion Générale Conclusion Générale La technologie des transistors de puissance MESFETs sur Carbure de Silicium est aujourd’hui en pleine évolution. Les résultats récents obtenus, tant aux Etats-Unis qu’on France, démontrent les progrès constants accomplis par cette technologie puisque des transistors unitaires susceptibles de fournir des puissances supérieures à 50W et des fréquences supérieurs à 1GHz ont été réalisés. Pour les MESFETs SiC, il ne suffit pas de « bons » contacts ohmiques séparés par une « bonne » barrière Schottky pour faire un composant de puissance RF efficace et stable, mais aussi il faut un substrat sans défauts. Les phénomènes d’instabilité pour les composants de type MESFETs SiC et HEMTs GaN/AlGaN ne sont pas nouveaux dans le monde des Semiconducteurs. Les analogies sont nombreuses avec ce qui est rencontré pour les composants de puissance GaAs. Nous retrouvons également les problèmes liés à la passivation qui reste l’autre point de faiblesse des transistors MESFETs 4H-SiC et plus généralement pour des composants de puissance fonctionnant à haute tension. C’est dans ce cadre que nous avons présenté une étude menée sur des transistors MESFETs à base de SiC et HEMTs à base de GaN, destinés à des applications hyperfréquences. Nous avons observé pour les deux types de transistors des caractéristiques présentant des dérives importantes ...